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TC-Wafer校準(zhǔn)儀是一款專注晶圓溫場均勻性測量的儀器,適配市場上大多數(shù)主流廠家生產(chǎn)的RTP設(shè)備。
RTP-3系列快速退火爐,采用紅外輻射加熱及冷壁技術(shù),可實現(xiàn)對實驗材料的快速升溫和降溫
AS真空快速退火爐,性能ZYUE,可搭配分子泵實現(xiàn)高真空下熱處理工藝。Z高溫度1500 ℃,Z快升溫速率200℃/Second。全程PC軟件控制升溫程序,保證溫度不過沖,控溫精度準(zhǔn)確。
AS-Micro真空快速退火爐,性能,可搭配分子泵實現(xiàn)高真空下熱處理工藝。zui高溫度1250 ℃,zui快升溫速率250℃/Second。全程PC軟件控制升溫程序,保證溫度不過沖,控溫精度準(zhǔn)確。
美國RTP系列的快速退火爐溫度均勻度≤1%,處理的大尺寸可以達(dá)到200mm,溫度可以達(dá)到1200攝氏度,處理過程可以在真空環(huán)境或者惰性氣體的環(huán)境中執(zhí)行,做多可支持4~6路進(jìn)氣,可以用到的氣體包含N2,O2,N2H2,Ar和H2。
快速退火爐系統(tǒng)SSI是一個簡單穩(wěn)定的熱處理系統(tǒng),適合于廣泛大尺寸為直徑2~8英寸的基片材料和結(jié)構(gòu)的快速熱低溫退火(RTA),(如電子級硅、鋼鐵、玻璃、單晶硅、III-V族化合物、II-VI族化合物、鍺、超導(dǎo)體、陶瓷等等)。
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