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簡要描述:原子層沉積(Atomic layer deposition)是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中,新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯(lián)的,這種方式使每次反應只沉積一層原子。
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應用領域
原子層沉積技術由于其沉積參數(shù)的高度可控型(厚度,成份和結構),優(yōu)異的沉積均勻性和*性使得其在微納電子和納米材料等領域具有廣泛的應用潛力。該技術應用的主要領域包括:
1) 晶體管柵極介電層(high-k)和金屬柵電極(metal gate)
2) 微電子機械系統(tǒng)(MEMS)
3) 光電子材料和器件
4) 集成電路互連線擴散阻擋層
5) 平板顯示器(有機光發(fā)射二極管材料,OLED)
6) 互連線勢壘層
7) 互連線銅電鍍沉積籽晶層(Seed layer)
8) DRAM、MRAM介電層
9) 嵌入式電容
10) 電磁記錄磁頭
11) 各類薄膜(<100nm)
技術參數(shù):
基片尺寸:4英寸;
加熱溫度:25℃~315℃;
溫度均勻性:±1℃;
前體溫度范圍:從室溫至150℃,±2℃;可選擇加熱套;
前驅體數(shù):一次同時可處理多達 5 個 ALD 前體源;
PLC 控制系統(tǒng):7英寸16 位彩色觸摸屏HMI控制;
模擬壓力控制器:用于快速壓力檢測和脈沖監(jiān)測
樣品上載:將樣品夾具從邊上拉出即可;
壓力控制裝置:壓力控制范圍從0.1~1.5Torr
兩個氧化劑/還原劑源,如水,氧氣或氨氣;
在樣品上沒有大氣污染物,因為在沉積區(qū)的附近或上游處無 Elestamor O 型圈出現(xiàn);
氧化鋁催化劑處理能力:6-10 次/分鐘或高達 1.2 納米/ 分鐘(同類*)
高縱橫比沉積,具有良好的共形性
曝光控制,用于在 3D 結構上實現(xiàn)所需的共形性;
預置有經(jīng)驗證過的 3D 和 2D 沉積的優(yōu)化配方;
簡單便捷的系統(tǒng)維護及安全聯(lián)鎖;
目前市面上占地zui小,可兼容各類潔凈室要求的系統(tǒng);
可以為非標準樣品而訂制的夾具,如 SEM / TEM 短截線
原子層沉積ALD的應用包括:
1) High-K介電材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3);
2)導電門電極 (Ir, Pt, Ru, TiN);
3)金屬互聯(lián)結構 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir);
4)催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5);
5)納米結構 (All ALD Material);
6)生物醫(yī)學涂層 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN);
7) ALD金屬 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni);
8)壓電層 (ZnO, AlN, ZnS);
9)透明電學導體 (ZnO:Al, ITO);
10)紫外阻擋層 (ZnO, TiO2);
11) OLED鈍化層 (Al2O3);
12)光子晶體 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13)防反射濾光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5);
14)電致發(fā)光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15)工藝層如蝕刻柵欄、離子擴散柵欄等 (Al2O3, ZrO2);
16)光學應用如太陽能電池、激光器、光學涂層、納米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);
17)傳感器 (SnO2, Ta2O5);
18)磨損潤滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3, ZrO2, WS2);
目前可以沉積的材料包括:
1)氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
2)氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
3)氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
4)金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
5)碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
6)復合結構材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
7)硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...
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