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簡要描述:射頻等離子體蝕刻機Quorum K1050X可以用于使用反應(yīng)氣體(例如CF 4) 去除硅層,以及用于使用氧氣去除光刻膠。 等離子灰化是指使用氧氣或空氣對有機材料進行可控的低溫去除,其廣泛應(yīng)用于研究和質(zhì)量控制領(lǐng)域。RF等離子還可用于塑料和聚合物的表面改性-以及清潔TEM和SEM樣品以及樣品支架。
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射頻等離子體蝕刻機簡介
Quorum K1050X RF等離子桶式反應(yīng)器設(shè)計用于等離子蝕刻,等離子灰化和等離子清潔應(yīng)用。
射頻等離子體可對各種樣品和基板進行低溫修飾。等離子體蝕刻通常僅限于半導(dǎo)體行業(yè),因為Quorum K1050X可以用于使用反應(yīng)氣體(例如CF 4) 去除硅層,以及用于使用氧氣去除光刻膠。
等離子灰化是指使用氧氣或空氣對有機材料進行可控的低溫去除,其廣泛應(yīng)用于研究和質(zhì)量控制領(lǐng)域。RF等離子還可用于塑料和聚合物的表面改性-以及清潔TEM和SEM樣品以及樣品支架。
K1050X是一款現(xiàn)代的固態(tài)RF等離子桶式反應(yīng)器,旨在滿足廣泛多樣的等離子蝕刻,等離子灰化和等離子清洗應(yīng)用的研發(fā)和小批量生產(chǎn)的需求。
等離子刻蝕機
主要特征
K1050X RF等離子桶式反應(yīng)器經(jīng)過精心設(shè)計,可以承受大量使用-每天24小時處理某些等離子灰化計劃-具有微處理器控制和自動操作功能,并具有耐用性和操作簡便性。各向同性(各個方向)的桶式系統(tǒng)等離子刻蝕或等離子灰化,適用于廣泛的應(yīng)用。
K1050X使用低壓射頻感應(yīng)產(chǎn)生的氣體放電來以柔和,可控的方式修飾樣品表面或去除樣品材料。與替代方法相比的一個顯著優(yōu)勢是等離子蝕刻和灰化過程是干燥的(不需要濕化學(xué)藥品),并且在相對較低的溫度下進行。
使用多種工藝氣體,可以使用多種表面改性方法。使用氧氣(或空氣)作為工藝氣體,分子分解為化學(xué)活性原子和分子,并且所產(chǎn)生的“燃燒”產(chǎn)物可通過真空系統(tǒng)方便地在氣流中帶走。
K1050X的直徑為110毫米x 160毫米的硼硅酸鹽玻璃室水平安裝,帶有滑出式樣品抽屜和觀察窗。通過可選的50 L / m機械旋轉(zhuǎn)真空泵可以抽空腔室。反應(yīng)性氣體的進入由兩個內(nèi)置電磁流量計控制的內(nèi)置流量計控制。
注意:對于需要避免使用硼硅酸鹽玻璃的等離子蝕刻應(yīng)用,K1050X可以配備可選的石英腔(EK4222)。
可提供在13.56 MHz時高達100 W的RF功率,可以無限地控制RF功率并將其預(yù)設(shè)為所需值。自動調(diào)整正向和反射功率是標準配置,并顯示在數(shù)字顯示屏上。
K1050X是全自動的。時間,功率和真空度的控制參數(shù)易于預(yù)設(shè),并且可以在整個過程中進行監(jiān)視和調(diào)整。
等離子過程中,“自動調(diào)諧”功能可確保RF功率自動與系統(tǒng)或負載的任何變化進行阻抗匹配。這意味著將腔室內(nèi)的RFplasma條件保持在*佳狀態(tài)-這很重要,因為它可以加快反應(yīng)時間,提高結(jié)果的可重復(fù)性,并在RF周期內(nèi)保護電源。
K1050X僅需要添加的旋轉(zhuǎn)泵。出于安全原因,當?shù)入x子蝕刻應(yīng)用涉及使用氧氣作為工藝氣體時,出于安全原因,強烈建議使用Edwards RV3 Fomblinized旋轉(zhuǎn)泵(參見 EK3176)。在需要避免使用油基旋轉(zhuǎn)泵的地方,可以選擇干式抽氣(請參閱:訂購信息)。
對于需要更清潔真空環(huán)境的等離子蝕刻和等離子清潔應(yīng)用,K1050XT具有內(nèi)置的渦輪分子泵
射頻等離子體的應(yīng)用
等離子蝕刻,等離子灰化和等離子清潔應(yīng)用多種多樣-以下是一些示例:
SEM,TEM和SPM部分Plasma清洗
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